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DMP3056LSS
0.1
0.05
0.04
V GS = -4.5V
0.03
I D = -5.0A
0.01
V GS = -4.5V
V GS = -10     V
0.02
0.01
0
V GS = -10V
I D = -6.0A
0.1
1
10
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 On-Resistance vs. Drain Current & Gate Voltage
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
I D = -250μA
10,000
1,000
f = 1MHz
C iss
1.8
1.6
1.4
1.2
1
100
10
C oss
C rss
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
5
10
15
20
25
30
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10
1
0.1
T A = 150°C
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Total Capacitance
0.01
T A = 125°C
T A = 85°C
0.001
0.0001
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
DMP3056LSS
Document number: DS31419 Rev. 6 - 2
3 of 4
www.diodes.com
September 2008
? Diodes Incorporated
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